型号:

2N7002LT1G

类别:FET - 单
制造商:Avago Technologies US Inc.
封装:8-SMD,鸥翼型
描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C115mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs-
输入电容(Ciss)0a0Vds50pF @ 25V
功率_最大225mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)

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